高溫錫膏在大功率器件封裝中的焊接工藝開發(fā)
來源:優(yōu)特爾錫膏 瀏覽: 發(fā)布時間:2025-07-22
高溫錫膏因具有較高的熔點(diǎn)(通常熔點(diǎn)≥217℃),能滿足大功率器件(如IGBT、功率MOSFET、大功率LED等)在工作時因高功耗產(chǎn)生的高溫環(huán)境需求,其在大功率器件封裝中的焊接工藝開發(fā)需圍繞焊接可靠性、導(dǎo)熱性及工藝穩(wěn)定性展開,核心環(huán)節(jié)如下:
1. 高溫錫膏選型
合金成分:常用無鉛高溫錫膏合金(如SAC305:Sn-3Ag-0.5Cu,熔點(diǎn)217℃;或更高熔點(diǎn)的Sn-5Sb,熔點(diǎn)232℃),需根據(jù)器件工作溫度上限(通常要求焊接點(diǎn)熔點(diǎn)高于器件最高工作溫度50℃以上)選擇,同時兼顧導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性及成本。
助焊劑類型:匹配器件封裝材質(zhì)(如陶瓷、金屬基片),選用無腐蝕、高活性助焊劑,確保焊盤與引腳的潤濕性,減少焊接空洞(空洞率需控制在5%以下,避免影響導(dǎo)熱)。
2. 印刷工藝優(yōu)化
鋼網(wǎng)設(shè)計(jì):根據(jù)器件引腳間距(如大功率器件常為寬引腳或面焊)設(shè)計(jì)鋼網(wǎng)厚度(0.12-0.2mm)和開孔形狀,確保錫膏量均勻(避免過多導(dǎo)致橋連,過少導(dǎo)致虛焊)。
印刷參數(shù):控制刮刀壓力(5-10N)、速度(20-40mm/s)、脫模速度(1-3mm/s),保證錫膏圖形清晰、無坍塌,尤其針對大面積焊接區(qū)域(如散熱焊盤)需均勻涂布。
3. 回流焊工藝開發(fā)
溫區(qū)曲線設(shè)計(jì):
預(yù)熱區(qū)(80-150℃,60-90s):緩慢升溫,揮發(fā)助焊劑溶劑,避免錫膏飛濺。
恒溫區(qū)(150-180℃,40-60s):激活助焊劑,去除氧化層,防止器件熱沖擊。
回流區(qū)(峰值溫度高于錫膏熔點(diǎn)20-30℃,如SAC305峰值235-245℃,保持10-20s):確保錫膏完全熔融,實(shí)現(xiàn)良好潤濕。
冷卻區(qū)(快速降溫,速率3-5℃/s):減少焊點(diǎn)晶粒粗大,提升焊點(diǎn)強(qiáng)度。
氣氛控制:對敏感器件(如陶瓷封裝)可采用氮?dú)獗Wo(hù)(氧含量≤500ppm),提升潤濕性,減少氧化。
4. 焊接質(zhì)量檢測與可靠性驗(yàn)證
外觀檢測:通過AOI或顯微鏡檢查焊點(diǎn)是否存在橋連、虛焊、錫珠等缺陷。
內(nèi)部質(zhì)量:采用X射線檢測焊點(diǎn)空洞率,超聲掃描(C-SAM)評估界面結(jié)合強(qiáng)度。
可靠性測試:進(jìn)行高溫存儲(150℃,1000h)、溫度循環(huán)(-40℃~125℃,1000次)、功率循環(huán)(模擬器件工作發(fā)熱)等測試,驗(yàn)證焊點(diǎn)抗熱疲勞性能,確保無開裂、脫落。
5. 工藝適配性調(diào)整
針對大功率器件封裝的特殊性(如金屬基片熱膨脹系數(shù)與器件差異大),需通過調(diào)整錫膏成分(如添加微量稀土元素改善延展性)或優(yōu)化回流曲線,緩解熱應(yīng)力,避免焊點(diǎn)因熱循環(huán)產(chǎn)生裂紋。
協(xié)同開發(fā),可實(shí)現(xiàn)高溫錫膏在大功率器件封裝中“高強(qiáng)度、高導(dǎo)熱、
耐高溫”的焊接效果,保障器件長期穩(wěn)定工作。
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